澳大利亚政府将强制实施物联网网络安全标准

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上一贴：三星成功突破3nm低良率难关

三星成功突破3nm低良率难关三星电子此前曾表示，将在本季度开始使用 3GAE (早期 3nm 级栅极全能) 工艺进行大规模生产。但之前业界传出三星3nm良率仅为20～30%，可能拖累量产进程。不过，近期业界再次传出消息称三星 3nm 良率问题已解决，3nm GAA 制程将如期量产。

下一贴：西数、铠侠优化闪存性能

西数、铠侠优化闪存性能近年来，QLC一直是低端SSD绕不过去的选择，但它被诟病的一个地方就是性能太慢。西数及铠侠目前的主力闪存BiCS5中没有QLC闪存类型，但在下一代的BiCS6中会重新推出QLC，并进行了大量性能优化，不仅核心面积低于其他厂商，而且编程速度提升到了60MB/s，达到优化前的5倍。